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- SSD interne 1TB Samsung 990 PRO (MZ-V9P1T0BW)
SSD interne 1TB Samsung 990 PRO (MZ-V9P1T0BW)
ID: 459278
Modification
Résumé du produit
- Utilisation: interne
- Type: SSD
- Format: M.2
- Capacité de stockage: 1000 GB
- Interface: PCI-E 4.0 x4
- Prise en charge NVMe: Oui
- Vitesse de lecture: 7450 Mo/s
- Vitesse d’écriture: 6900 Mo/s
- Type de mémoire flash: TLC
- Taille de la mémoire cache: 1024 MB
Spécifications complètes
228,40 €228,40 €
En stockPrincipal
Fabricant ........................................................................................................................................................................................................
Code fabricant ........................................................................................................................................................................................................
MZ-V9P1T0BW
Attention ........................................................................................................................................................................................................
Dans les spécifications de Samsung, il est indiqué "3bit MLC", c'est-à-dire des cellules à niveaux multiples 3 bits, ce qui correspond à un TLC, des cellules à triple niveau avec 3 bits d'information par cellule, alors que dans la mémoire MLC, il y a 2 bits stockés par cellule.
Utilisation ........................................................................................................................................................................................................
interne
Type ........................................................................................................................................................................................................
SSD
Format ........................................................................................................................................................................................................
Interface ........................................................................................................................................................................................................
PCI-E 4.0 x4
Prise en charge NVMe ........................................................................................................................................................................................................
oui
Mémoire tampon DRAM ........................................................................................................................................................................................................
oui
Taille de la mémoire cache ........................................................................................................................................................................................................
1024 MB, Low Power DDR4
Capacité de stockage ........................................................................................................................................................................................................
1000 GB
Type de mémoire flash ........................................................................................................................................................................................................
Vitesse de lecture ........................................................................................................................................................................................................
7450 Mo/s
Vitesse d’écriture ........................................................................................................................................................................................................
6900 Mo/s
Vitesse de lecture aléatoire de blocs de 4 Ko ........................................................................................................................................................................................................
1200000 IOPS, QD32
Vitesse d'écriture aléatoire des blocs de 4 Ko ........................................................................................................................................................................................................
1550000 IOPS
Supplémentaire
Ressource de réécriture (TBW) ........................................................................................................................................................................................................
600 TBR
Temps moyen avant panne ........................................................................................................................................................................................................
1500000 h
Couleurs utilisées dans la conception ........................................................................................................................................................................................................
noir
Fonction spéciale
Dimensions (L x H x P) ........................................................................................................................................................................................................
80 x 22 x 3 mm
Poids ........................................................................................................................................................................................................
0.009 kg
Garantie ........................................................................................................................................................................................................
12/24 mois
Site web du fabricant ........................................................................................................................................................................................................
Le fabricant se réserve le droit de modifier l'apparence, la composition ou les spécifications sans préavis.